IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”作为国家战略性新兴产业，在国防军工、轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广，目前进口率90%以上。。碳化硅MOSFET可大幅提高产品的功率密度，适应更高功率、更高电压、更大电流的未来电动车的需要。需要解决的关键核心技术有;①高精度高通路集成电路 EDA 器件仿真工具的研究。②车规级高可靠性大电流、低损耗功率器件结构设计。③单片集成智能型功率器件制备工艺设计。④功率器件智能过温、过流、过压自保护电路设计。低热阻高可靠性大功率封装技术开发。

关键技术指标

①车规级/-150V器件特征导通电阻<630mohm*mm2;

②100V器件特征导通电阻<35.0mohm*mm2;

③1200V器件饱和导通压降Vcesat<1.6V@电流密度=200A/cm2;

④具备智能型自保护功率器件集成温度、电流传感和过温、过流,过压保护及诊断反馈等功能，短路耐量可靠性>100万次;

⑤采用严格的测试程序，在各种工作环境下对智能过温、过流、过压自保护电路进行测试，满足车规级高可靠性要求。