MEMS压力/温度传感器
发布时间:2023-09-05 14:57:41     1908人浏览
发布者 程倩
成果状态 待解决
意向投入 暂议
联系方式 15026****38
成果详情

负责人

程倩

所在单位

中科院上海微系统与信息技术研究所

联系方式

15026****38

所属领域

安全应急

技术成熟度

产业化

应用行业

MEMS 传感

合作方式

技术开发

成果概况

 

MEMS 芯片负责感知信号,将测量量转化为电阻、电容等信号变化; ASIC 芯片即专用集成电路(Application-specific integrated circuit)负责将电容、电阻等信号转换为电信号,其中涉及到信号的转换和放大等。高灵敏力/温度传感系统,其压力灵敏度 10mN (精确分辨1mg重量的误差),温度精度 0.01℃。压力/温度传感器,均使用了 MEMS 技术,该技术的优点是可以加工出高精度、小体积的传感器,上述两款传感器的体积均在 1mm 以内,精度均可达到国内外主流传感器的精度。

关键技术

 

 

MEMS 温度传感器主要有热电偶式,热电阻式,以及红外感应式等。热电阻式温度传感器,利用电阻材料的温度效应,通过测量阻值获取环境温度。随着温度上升,多晶硅薄膜内部单晶晶粒内部载流子的热散射加剧,使载流子的迁移率下降,电阻率增大,晶粒导电区电阻 Rg 具有正的温度系数。与 Rg 相反,晶粒间界及耗尽层内存在负温度系数的 Rb,这是由于随着温度的升高,有更多的载流子获得能量,克服晶界势垒的束缚,成为导电的自由载流子。由于 Rg Rb 具有相反的电阻温度系数,可使多晶硅电阻的温度系数可以从负值变到正值。在高浓度掺杂情况下,在晶粒间界处被陷阱俘获的载流子数相对来说很少,晶粒间界势垒的作用相对较小,多晶硅电阻主要由小单晶晶粒的体电阻决定,电阻温度系数为正。在低浓度掺杂情况下,晶界势垒的影响较大,电阻温度系数由 Rb 的温度系数决定,其值为负。因此可以通过测量多晶硅电阻的阻值计算出环境温度。基于 MEMS 技术加工而成,温度传感器使用对温度敏感的金属铂材料加工而成,温度升高后,电阻阻值也随之上升,通过高精度的模拟-数字芯片采集电阻阻值大小,可实现精度可达 0.01℃ 的温度探测,测量范围为 -40-85℃,更换封装材料后可实现 -50-100℃ 的高精度温度采集。

应用领域和市场前景

 

MEMS 温度传感器市场规模在近年来呈现出不断增长的趋势。据预测,到2026年,全球温度传感器市场规模将达到75亿美元以上。其中,医疗行业是数字温度传感器市场的主要应用领域。温度传感器在医疗行业中应用广泛,可以用于测量人体体温、药品储存温度等,具有精度高、反应快、无接触等优点。随着全球医疗健康行业的不断发展和人们健康意识的提高,温度传感器市场规模有望继续扩大。此外,温度传感器在工业、物流、环境监测、智能家居、食品行业、温室大棚、仓库,半导体厂房等领域也有广泛的应用,随着相关行业的发展,温度传感器市场规模也将继续增长。


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