多晶硅化学载能束高真空冶金技术是一种材料冶金提纯工艺的前沿方法，是一种环保型的新兴技术。在行业内一直没有新的突破，传统的治金法工艺是通过浇注法制备多晶硅材料，而化学载能束高真空治金技术不同于传统工艺的加工方法，它属于真空工艺范畴，对被治金物质具有较高的选择性。其基本原理是实现在大气中无法进行的冶金过程，能防止硅片发生氧化反应，分离熔点不同的物质，除去硅片中的气体或杂质，增强硅片的脱氧能力，提高硅片的质量。

达到化学载能束高真空度在控制区间在0.1Pa。具备在更高级的精细化分离能力，进一步去除硅片中的杂质。