可以解决国外企业在InP,GaAs 外延生长MOCVD设备的垄断或断供现象，推动InP,GaAs 基外延生长以及下游光通、射频器件等产业发展。

1.加热丝温度可达800℃以上，温度均匀性+/-1℃;

2.晶片均匀性:Std<1%，具备良好均匀性;